สินค้า
K4G41325FE-HC25
K4G41325FE-HC25 · Micron / ISSI / Samsung · วงจรรวม
ข้อมูลสินค้า
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- K4G41325FE-HC25
- แรงดันพังทลาย:
- V
- ความถี่สวิตชิ่ง:
- Hz
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| หมายเลขชิ้นส่วน | K4G41325FE-HC25 |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| แรงดันพังทลาย | V |
| ความถี่สวิตชิ่ง | Hz |
| กำลัง (W) | W |
| อุณหภูมิการทำงาน | C |
| แรงดันจ่ายต่ำสุด | V |
| แรงดันจ่ายสูงสุด | V |
| แรงดันเอาต์พุต | V |
| กระแสเอาต์พุตต่อช่อง | A |
| ความถี่ | Hz |
| การใช้งาน | วงจรรวม |
| กระแสเอาต์พุตสูงสุด | A |
| กระแสไฟเลี้ยง | A |
| แรงดันไฟเลี้ยง | V |
| ความถี่สูงสุด | Hz |
| กำลังสูงสุด | W |
| แรงดันแยกทางไฟฟ้า | V |
| กระแสเอาต์พุตสูงสุดชั่วขณะ | A |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | SMT |
| ขนาด | BGA |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 7
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Type | Integrated Circuit, Voltage Regulator |
|---|---|
| Description | Graphics Card Memory BGA Ic Chip |
| Current - Output High, Low | A |
| Voltage - Forward (Vf) (Typ) | V |
| Current - DC Forward (If) (Max) | A |
| Output Power | W |
| Product Name | H5GQ8H24MJR-R4C Graphics Card Memory |
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
ขอใบเสนอราคา
ชิ้นส่วนที่เลือก
สินค้าทั้งหมด
MT41K256M16TW-107 · Micron / ISSI / Samsung · วงจรรวม
- ความละเอียด ADC
- 10 Bit
- ความถี่สัญญาณนาฬิกาสูงสุด
- 16 MHz
MT29F2G08ABAEAH4 · Micron / ISSI / Samsung · วงจรรวม
- ความละเอียด ADC
- 10 Bit
- ความถี่สัญญาณนาฬิกาสูงสุด
- 16 MHz
