สินค้า
1N4448
1N4448 · ROHM / UTC · วงจรรวม
ข้อมูลสินค้า
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- 1N4448
- ประเภท:
- IC CHIP
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io):
- 200mA
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
ข้อมูลระบุชิ้นส่วน
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| คำอธิบาย | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 |
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| ประเภท | IC CHIP |
| กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) | 200mA |
| แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If | 1V @ 100mA |
| กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr | 5uA @ 75V |
| แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr) | 8327382 |
| ความเร็ว | สัญญาณขนาดเล็ก =< 200mA (Io), ทุกความเร็ว |
| เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr) | 4ns |
| ความจุไฟฟ้าที่ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| ช่วงอุณหภูมิทำงาน | - 55 C – + 150 C |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | 153821123 |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | ติดตั้งบนพื้นผิว |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 6
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Application | Diodes -General Purpose, Power, Switching |
|---|---|
| Package / Case | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Product | Switching Diodes |
| Recovery Time | 4 Ns |
| Forward Voltage Drop | 1.2 V |
| Maximum Power Dissipation | 350 MW |
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
