สินค้า
IRF640PBF
IRF640PBF · ROHM / UTC · วงจรรวม
ข้อมูลสินค้า
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- IRF640PBF
- อุณหภูมิการทำงาน:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- ข้อมูลอ้างอิงเทียบเคียง:
- NEW
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| อุณหภูมิการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ข้อมูลอ้างอิงเทียบเคียง | NEW |
| ประเภท FET | พีแชนเนล |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งแบบทะลุรู |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | –-220-3 |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 13
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Type | IC CHIP, Field-Effect Transistor, IGBT Transistor |
|---|---|
| Package Type | Throught Hole |
| Application | Irf Transistor |
| Brand | MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 6.6A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250uA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Transistor Type | Mrf150 Rf Power Transistor |
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
