สินค้า
IRF3710PBF
IRF3710PBF · ROHM / UTC · วงจรรวม
ข้อมูลสินค้า
- หมายเลขชิ้นส่วน:
- IRF3710PBF
- อุณหภูมิการทำงาน:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- ข้อมูลอ้างอิงเทียบเคียง:
- NEW
ขอใบเสนอราคา
ราคา สต็อก และกำหนดส่งจะยืนยันในใบเสนอราคา
ขอใบเสนอราคาข้อมูลทางเทคนิค
รุ่นเดียวกัน · พารามิเตอร์สอดคล้องกัน
คุณสมบัติทางไฟฟ้า
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| อุณหภูมิการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ข้อมูลอ้างอิงเทียบเคียง | NEW |
| กำลังสูงสุด | 40W |
| ประเภท FET | เอ็นแชนเนล |
แพ็กเกจและขนาดทางกายภาพ
| พารามิเตอร์ | ค่า |
|---|---|
| รูปแบบการติดตั้ง | ติดตั้งแบบทะลุรู |
| แพ็กเกจ / ตัวถัง | –-220-3 |
ไม่พบพารามิเตอร์ที่ตรงกัน
พารามิเตอร์ตรงกับรุ่นนี้ โปรดตรวจสอบแพ็กเกจและเงื่อนไขการทดสอบจากเอกสารผู้ผลิต
ข้อมูลต้นฉบับ · อังกฤษ · 17
บางข้อมูลกำลังรอการแปล จึงแยกแสดงต้นฉบับภาษาอังกฤษไว้ด้านล่าง
| Type | Ic Chip, Field-Effect Transistor, IGBT Transistor |
|---|---|
| Package Type | Throught Hole |
| Application | Irf Transistor |
| Brand | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220AB |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 1.5A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 1A, 2V |
| Drain To Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 57A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 28A, 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3130pF @ 25V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Transistor Type | Mrf150 Rf Power Transistor |
รายละเอียดสินค้า
ยังไม่มีคำอธิบายที่แปลแล้ว ตารางด้านล่างเป็นพารามิเตอร์ของรุ่นนี้
