ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV15PM10-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr400 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If750 MV @ 15 A ขอใบเสนอราคา
TLV2471CDR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์1.5 V/µs ขอใบเสนอราคา
LF444ACN/NOPB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์J-FETอัตราสลูว์1 V/µs ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV10P15HM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 µA @ 150 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.08 V @ 10 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSE10DD-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr15 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.15 V @ 10 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSE70PG-M3/86A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr20 µA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.05 V @ 7 A ขอใบเสนอราคา
LMV832MM/NOPB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์2 V/µs ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSE70PG-M3/87A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr20 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.05 V @ 7 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงTLC251CD · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์5.3 V/µs ขอใบเสนอราคา
V20KM45-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr150 µA @ 45 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If650 MV @ 20 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงEGP20F-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 300 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 2 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงOPA2727AID · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTexas Instrumentsประเภทแอมพลิฟายเออร์ใช้งานทั่วไปอัตราสลูว์30 V/µs ขอใบเสนอราคา
MBR760-BP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If750 MV @ 7.5 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงOA4NP33Q · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsประเภทแอมพลิฟายเออร์CMOSอัตราสลูว์3 V/ms ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVBT5200-E3/8W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr150 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.6 V @ 5 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงPDS1045Q-13 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr600 µA @ 45 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If510 MV @ 10 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCSA2J-E3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.15 V @ 2 A ขอใบเสนอราคา