· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 975 MV @ 2 A
สินค้า
OPA695IDBVT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ป้อนกลับกระแส
- อัตราสลูว์
- 4300 V/µs
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 975 MV @ 2 A
NSB8KTHE3_B/P · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 8 A
OP275GSZ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- ADI / Analog Devices Inc.
- อัตราสลูว์
- 22 V/µs
- แรงดันออฟเซ็ตอินพุต
- 1mV
MBRB1545-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 150 µA @ 45 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 520 MV @ 15 A
OPA177GS · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 0.3 V/µs
VS-MBR1635-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 µA @ 35 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 630 MV @ 16 A
NRTS30100MFST3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 760 MV @ 30 A
OPA2344UA · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 150 UA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 1 PA
V20150S-E3/4W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 250 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.43 V @ 20 A
LMC6484IM/NOPB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 1.3 V/µs
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 975 MV @ 2 A
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Linear Technology/Analog Devices
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ดริฟต์ศูนย์
- อัตราสลูว์
- 0.45 V/µs
NSB8BTHE3_B/P · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 8 A
NE5534PE4 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 4 MA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 1.5 UA
NSB8JTHE3_B/P · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 8 A
TL082BCD · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 1.4 MA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 200 PA