FESB16JTHE3_A/P · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.5 V @ 16 A
สินค้า
TLV8811DBVR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 450 NA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 100 FA
TST10H200CW · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 910 MV @ 5 A
VS-18TQ045SHM3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2.5 MA @ 45 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 600 MV @ 18 A
TLV170IDR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 125 UA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 1 NA
FESB16HTHE3_A/P · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 500 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.5 V @ 16 A
VS-EPU3006L-N3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 30 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2 V @ 30 A
IDP15E60XKSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2 V @ 15 A
TLV313IDCKR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 65 UA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 1 PA
VS-EPH3006L-N3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 30 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2.65 V @ 30 A
CD4150 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 NA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 200 MA
1N4153/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 NA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 880 MV @ 20 MA
NCS2333DR2G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสไฟเลี้ยง
- 17 UA, 21 UA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 400 PA
VS-25ETS10STRL-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.14 V @ 25 A
1N4448/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 25 NA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 100 MA
TLV2369IDGKR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 800 NA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 10 PA
1N4449/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 25 NA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 30 MA
TLV4172IDR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 1.6 MA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 10 PA