ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMUR440RLG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.28 V @ 4 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBRD640CTT4G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSL23-E3/52T · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr400 µA @ 30 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If440 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงUF5407-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 800 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.7 V @ 3 A ขอใบเสนอราคา
MMBD3004BRM_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด225mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBRD660CTT4G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงRBR3L40ADDTE25 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr50 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If690 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAS70VV · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด70mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N5821RLG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr2 MA @ 30 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If500 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSNRVUD620CTT4G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSTPS1H100MF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr4 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If770 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAV23CLT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด400mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSBR10E45P5-7 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr280 µA @ 45 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If470 MV @ 10 A ขอใบเสนอราคา
MBRD20100CT-13 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVSSB7L45-M3/52T · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1.6 MA @ 45 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If430 MV @ 3.5 A ขอใบเสนอราคา
BAS70TW-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด70mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
NRVBAF440T3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr300 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If435 MV @ 4 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMUR420RLG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If890 MV @ 4 A ขอใบเสนอราคา