MMBD3004SE · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 225mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
สินค้า
SS24SHE3_B/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 µA @ 40 V
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
1S953-T2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Renesas Electronics America Inc
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- บรรจุรวม
APT100S20BG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 MA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 100 A
BAS70TWQ-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 70mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 125°C
1SS55-T4-AZ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Renesas Electronics America Inc
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 NA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 700 MV @ 1 MA
1SS226 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 100mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 125°C (Max)
IDH10G65C6XKSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 33 µA @ 420 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.35 V @ 10 A
1S953-TB-AZ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Renesas Electronics America Inc
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- บรรจุรวม
1N4154 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NTE Electronics, Inc
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 NA @ 25 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 30 MA
BAS40-04Q-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 125°C
IDW75D65D1XKSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 40 µA @ 650 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 75 A
MMBD1503A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rectron USA
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
B340AXF-13 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 500 MV @ 3 A
BAV23A-QR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 225mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C
APT75DQ120BG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 1200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 3.1 V @ 75 A
M1MA151WKT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 100mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
SA2J-E3/5AT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 3 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 2 A