ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNTE6241 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNTE Electronics, Incกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด8Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
VSSAF3M63-M3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If620 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงDPG60C300PC-TUB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตIXYSกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด30Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N4002G-T · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNTE6244 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNTE Electronics, Incกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด16Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNTE645 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNTE Electronics, Incกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด8Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
V20PWL63HM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If620 MV @ 20 A ขอใบเสนอราคา
VX60M153PWHM3/P · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด30Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N4148WS-G3-08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.2 V @ 100 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-40L15CW-N3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด20Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน125°C (Max) ขอใบเสนอราคา
V20PWM63HM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr35 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If670 MV @ 20 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNTE629 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNTE Electronics, Incกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด8Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMMDL770T1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 NA @ 35 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 10 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-40CPQ040-N3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด40Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง10MQ040N · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If540 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSBR60A300CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด30Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
V30KM100HM3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr300 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If810 MV @ 30 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNTE630 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNTE Electronics, Incกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด8Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา