FDLL4150 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 NA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 200 MA
สินค้า
BAW56HDW-13 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 250mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 155°C
NTE5852 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NTE Electronics, Inc
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 12 MA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 19 A
GSD2004C-E3-18 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 225mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
S1BL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
BAS40-06WF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 120mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
NTE607 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NTE Electronics, Inc
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 3.3 V @ 70 MA
GSD2004S-HE3-18 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 225mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
BAT85 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 25 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 800 MV @ 100 MA
BAS40CDW_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 125°C
GSD2004C-HE3-18 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 225mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
1N4454UR/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 NA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 10 MA
BAS70-04Q-13-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 70mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 125°C
B0540WHE3-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 80 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 550 MV @ 500 MA
GSD2004A-HE3-18 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 225mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
CUS10S40 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 150 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 400 MV @ 500 MA
BAV99HDW-13 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
VS-EPU3006LHN3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 30 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2 V @ 30 A