BAV23C-E3-18 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
สินค้า
NTE5945 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NTE Electronics, Inc
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 MA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.5 V @ 15 A
DAN202-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 100mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
SDM02M30LP3-7B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 400 NA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 450 MV @ 10 MA
BAS40-06-HF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Comchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 125°C
NTE5983 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NTE Electronics, Inc
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 15 MA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 40 A
BAR43S-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C
NTE5942 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NTE Electronics, Inc
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 MA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.5 V @ 15 A
DAP202U-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 100mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
US1R_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 1300 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.9 V @ 1 A
MMBD3004S-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 225mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
NTE116-10 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NTE Electronics, Inc
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
CDST-99-HF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Comchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
RSX051VYM30FHTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 µA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 390 MV @ 500 MA
BAS40-05-QR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 120mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C
VS-30EPF06-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.41 V @ 30 A
BAS70-06-QR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 70mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C
CUS15S40 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 450 MV @ 1 A