ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV10K60DU-M3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงS3M-13-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 1000 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.15 V @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBD1050CS_S2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAS20-G3-08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 NA @ 150 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 200 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง12CTQ040S · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด6Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSS2PH9-M3/84A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 90 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If800 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
MBR10200FAT_T0_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAS19-G3-18 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 NA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 200 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV6KM120DUHM3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
SS1H20LS · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If850 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV10K60DU-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
1PS76SB10-QF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr2 µA @ 25 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If800 MV @ 100 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBD1045CS_S2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
CD214A-B240R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตBourns Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If500 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
V8P22C-M3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3.1Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
BAV21W-G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 NA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 200 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBD1050CS_L2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
PMEG60T30ELRX · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1.8 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If620 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา