RB058LAM150TFTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr3 µA @ 150 Vอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBRB1545CTHE3_B/P · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด7.5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
MBRF10H100CTH · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงFS1ME_HF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 1000 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงPMEG060T050ELPEZ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1.8 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If690 MV @ 5 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBRF20H150CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด20Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงPG5406_R2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.2 V @ 3 A ขอใบเสนอราคา
SF2004GH · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด20Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ER1CAFC_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 150 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If950 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-MBR2090CT-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSDT10150GCT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงES2G-M3/52T · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 2 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงUF204G_R2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 µA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.3 V @ 2 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-MBRB2045CTL-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCMR2-06 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตCentral Semiconductor Corpกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 2 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMUR1660CTH · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด16Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงS4PK-M3/86A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 800 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 4 A ขอใบเสนอราคา
SDT40120CTFP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด20Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา