301CMQ035 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด150Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
VS-VSKD166/12PBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด82.5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
U3B-M3/57T · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If900 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMSRT25060A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด250A (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงLL4448-GS18 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr25 NA @ 20 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 50 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตWAGO Corporationกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด1Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-25°C ~ 40°C ขอใบเสนอราคา
SS36 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 µA @ 60 Vอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
300CMQ045 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด150Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSD101AWS-7 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr200 µA @ 50 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 15 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMSRTA400120A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด400A (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
SDURD1520 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.05 V @ 15 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMSRT100100AD · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด100Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
S1MBHR5G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 1000 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCMR2-10 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตCentral Semiconductor Corpกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 1000 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 2 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMD120C16D1-BP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด120Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMSRT250140A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด250A (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
BAS20LT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 NA @ 150 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 200 MA ขอใบเสนอราคา
MBR2X160A200 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด160Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา