F18107RD1000 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Sensata-Crydom
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 105A (DC)
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.65 V @ 300 A
สินค้า
VS-2EQH02-M3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.05 V @ 2 A
MSRTA60060A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 600A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 175°C
MBR40045CTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
SS34HM3_A/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 500 MV @ 3 A
SS16HL-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 700 MV @ 1 A
MURT30020 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
ES1FL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 300 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 1 A
F1892RD1000 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Sensata-Crydom
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 90A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 125°C
BAS381-TR3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 NA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 15 MA
MBR40020CTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
ES1FL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 300 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 1 A
MBRT40020 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
MSRTA600100A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 600A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
HS1KAL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 1 A
SK510B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 850 MV @ 5 A
F1827RD1400 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Sensata-Crydom
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 25A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 125°C
MBR30045CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C