DD175N30KHPSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 223A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
สินค้า
PMEG3010ER-QX · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1.5 MA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 360 MV @ 1 A
BAW56-AQ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diotec Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 215mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
BYW34-TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
JANTXV1N7037CCU1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 35A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
BYT52G-TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 1 A
JAN1N7037CCU1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 35A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
PMEG200G20ELP-QX · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 30 NA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 880 MV @ 2 A
APTDF400KK170G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 480A
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2.5 V @ 400 A
BYV14-TAP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.5 V @ 1 A
MURTA40060R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
SS2P2-M3/84A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 150 µA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 550 MV @ 2 A
BAV70W-AQ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diotec Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 175mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
BYT51J-TAP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
BAV99L-AQ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diotec Semiconductor
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
- แรงดันย้อนกลับ DC สูงสุด (Vr)
- 100 V
VSS8D2M12HM3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 250 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 600 MV @ 1 A
MURTA40020R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C