BAT54S-AQ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diotec Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
สินค้า
ES3AHE3_A/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 900 MV @ 3 A
MBR10200CD · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
MMDL6050T1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 NA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 100 MA
STPS2045CTC · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 175°C
V10PWM12-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 400 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 820 MV @ 10 A
NSVR0240HT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 710 MV @ 200 MA
MUR1040CD · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
NXPS20H110C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 175°C (Max)
AS3PM-M3/86A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 920 MV @ 1.5 A
S3AB-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.15 V @ 3 A
BAT54C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diotec Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
AS3PM-M3/87A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 920 MV @ 1.5 A
BYV40E-150 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 1.5A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
RBR3LAM60BTFTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 150 µA @ 60 V
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
NXPS20H100C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NXP USA Inc.
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 175°C (Max)
SD040SA60A.T1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 650 MV @ 1 A
MBR10150CD · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C