MBR30200CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 30A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
สินค้า
RS1DHE3_A/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 1 A
MBR20150FCT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
SDURB2060 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2 V @ 20 A
BAS70-07W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 70mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C
SB150-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 650 MV @ 1 A
MBR20100CTS · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
SDT12A120P5-7D · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 800 MV @ 12 A
MBRB20100CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
SS13M · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 550 MV @ 1 A
BAT240AE6327 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 400mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C
AR3PJ-M3/87A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.6 V @ 3 A
MBR10150FCT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
SS18 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 200 µA @ 80 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 850 MV @ 1 A
MBR2060FCT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
SF4003-TAP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 1 A
MBR2045CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
RB162LAM-60TFTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 60 V
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)