G3S12010B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Global Power Technology-GPT
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 39A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
สินค้า
PMEG3020EP-QX · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 3 MA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 360 MV @ 2 A
G4S06530BT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Global Power Technology-GPT
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 39A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
KD160KB160 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SanRex Corporation
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 160A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
VS-HFA04TB60SL-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 3 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2.2 V @ 8 A
G3S12006B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Global Power Technology-GPT
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 14A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
S3BB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.15 V @ 3 A
SCS230KE2C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 15A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 175°C (Max)
V8P12-M3/87A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 300 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 840 MV @ 8 A
BAS40HYT116 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 40 MA
G3S06516B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Global Power Technology-GPT
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 25.5A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
AS1PKHM3/84A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.15 V @ 1.5 A
G5S12040BM · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Global Power Technology-GPT
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 62A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
S3KB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.15 V @ 3 A
FDS100CA120 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SanRex Corporation
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 100A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
G3S12004B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Global Power Technology-GPT
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 8.5A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
AS1PGHM3/84A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.15 V @ 1.5 A
G4S06516BT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Global Power Technology-GPT
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 25.9A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C