GI1404-E3/45 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If975 MV @ 8 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง10BQ030 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 MA @ 30 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If420 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
87CNQ020ASL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด40Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSTPS5045SG-TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr360 µA @ 45 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If610 MV @ 50 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBRD660CTTRL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
BAT165AX · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr8 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If740 MV @ 750 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSD103ATW-7 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด175mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-30WQ10FN-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 MA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If810 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAS16TW-7 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด150mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
S1MB-13-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 1000 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง225CMQ015 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด110Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
MRA4005T3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBRD650CTTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMMBD3004S-7 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด225mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-50WQ06FNTR-M3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr3 MA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If570 MV @ 5 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAT54CT-7 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
MMBD1501A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 NA @ 180 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 200 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N6761UR-1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If690 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา