RB160M-30TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 480 MV @ 1 A
สินค้า
RB215T-40 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
BAS16WT1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 150 MA
MBR2045CTG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 175°C
BAT54W-E3-08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 25 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 800 MV @ 100 MA
VS-MBR3035WTPBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 15A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
SS16LSHRVG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 400 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 700 MV @ 1 A
SBG1630CT-T-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 16A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 125°C
RB520S30T5G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 10 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 600 MV @ 200 MA
NSDEMN11XV6T5G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 100mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
MMBD914-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 150 MA
VS-32CTQ030STRRPBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 15A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
MUR130RLG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 300 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 1 A
VS-16CTQ100PBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 8A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
BAS32L · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 100 MA
V3PM12-M3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 300 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 620 MV @ 1.5 A
VS-80CNQ045APBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 40A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
1N4531 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 25 NA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 10 MA