MBR4050PT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 40A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
สินค้า
FFPF30UA60S · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2.2 V @ 30 A
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 120mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
SE10DTGHM3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 15 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.15 V @ 10 A
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
PMEG3010AESBYL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Nexperia USA Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 255 µA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 480 MV @ 1 A
BAW56SB6327XT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
FDLL333 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 3 NA @ 125 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.15 V @ 300 MA
MBR3050PT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 150°C
MUR320SBHR5G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 900 MV @ 3 A
BAW56WE6327HTSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
BAV21WS-G3-08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 NA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 200 MA
BAV99WB6327XT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
RGP30D-E3/73 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 3 A
· ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
STTH4R02UY · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 3 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.05 V @ 4 A
ISL9K460P3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 4A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 175°C
SS24-LTP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 550 MV @ 2 A