JANTXV1N5552US/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 9 A
สินค้า
JAN1N6621U/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 440 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.4 V @ 1.2 A
1N6662US/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 NA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 400 MA
MIL-PRF-19500/590 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 400 V
- เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)
- 30 Ns
1N6662US · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 NA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 400 MA
JAN1N6626U/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 220 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.35 V @ 2 A
JAN1N6622U/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 660 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.4 V @ 1.2 A
BU7464F-E2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- ROHM Semiconductor
- การปิดการทำงาน
- ไม่มีฟังก์ชันปิดการทำงาน
- บรรจุภัณฑ์
- ม้วน
JAN1N6624U/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 990 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.55 V @ 1 A
JAN1N6626US/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 220 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.35 V @ 1.2 A
UES1103E3/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 975 MV @ 2 A
JAN1N6627US/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 2 µA @ 440 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.35 V @ 1.2 A
TLC082IDGN · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- กระแสไฟเลี้ยง
- 1.8 MA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 50 PA
JAN1N6622US/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 660 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.4 V @ 1.2 A
VS-85HFLR40S05 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.75 V @ 266.9 A
JANTXV1N5819-1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 45 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 490 MV @ 1 A
JAN1N6621US/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 75 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 100 MA
MIL-PRF-19500/585 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 1000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.75 V @ 1 A