ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงIDK10G120C5XTMA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตInfineon Technologiesกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr18 µA @ 1200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.8 V @ 10 A ขอใบเสนอราคา
STTH10BC065CT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด5Aแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If3.2 V @ 5 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N4448WS-7-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr2.5 µA @ 75 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 150 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-MURB1620CTPBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด8Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงDST10100S · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตLittelfuse Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr250 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If700 MV @ 10 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSBR30A45CTB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด15Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-35EPF06LHM3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.46 V @ 35 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงDA6X108K0R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanasonic Electronic Componentsกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด200mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAT42W_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 NA @ 30 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 200 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1SS301SU · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตToshiba Semiconductor And Storageกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด100mAอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน125°C (Max) ขอใบเสนอราคา
TPMR10D · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If950 MV @ 10 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAV103-GS08 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 NA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 100 MA ขอใบเสนอราคา
DB3X316F0L · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanasonic Electronic Componentsกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด100mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน125°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSTTH60P03SW · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 300 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.5 V @ 30 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSTPS30SM80CG-TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด15Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน175°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงPMEG050V150EPDZ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNexperia USA Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 MA @ 50 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If500 MV @ 15 A ขอใบเสนอราคา
DB4J406K0R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanasonic Electronic Componentsกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด100mA (DC)อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน125°C (Max) ขอใบเสนอราคา
S1K-13-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 800 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.1 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา