STPS40SM60CG-TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
สินค้า
FST8380M · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 80A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
GI750-E3/73 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 900 MV @ 6 A
CDBD20200-HF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Comchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
1SS270TD-E · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Renesas Electronics America Inc
- แพ็กเกจ / ตัวถัง
- บรรจุรวม
VS-SD200N20PC · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 15 MA @ 2000 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.4 V @ 630 A
STPS20M60CG-TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- STMicroelectronics
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 150°C (Max)
1N4001-E3/73 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
BAS70SV · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 70mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
MBR10100 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 MA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 850 MV @ 10 A
FST8345M · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 80A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
MBR1045 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- SMC Diode Solutions
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 MA @ 45 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 650 MV @ 10 A
CPT60035 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microsemi Corporation
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 300A
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 650 MV @ 300 A
1N6663US · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 NA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 400 MA
SR20150-G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Comchip Technology
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
CTS05S40 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 30 µA @ 10 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 350 MV @ 100 MA
SBT80-04Y-DL-E · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 8A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
TSP12U120S · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 120 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 780 MV @ 12 A