NXPS20H100C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตWeEn Semiconductorsกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน175°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSDUR2030 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr40 µA @ 300 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.3 V @ 20 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNRVBD650CTT4G-VF01 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
SBRT05U20LPS-7B · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr50 µA @ 20 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If390 MV @ 500 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMURT20005 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด100Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBAT54HMT116 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr2 µA @ 25 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If800 MV @ 100 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSTTH30W03CW · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด15Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน175°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBR20200 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSMC Diode Solutionsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1 MA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If950 MV @ 20 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-12CWQ03FNPBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด6Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
1N4148WS · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 75 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 100 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNTSJ40120CTG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด20Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงUF4007GP-AP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 1000 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.7 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงMBRT50060 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด250Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If600 MV @ 7 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNTSB30120CTG · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด15Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCUS551V30 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตToshiba Semiconductor And Storageกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 20 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If470 MV @ 500 MA ขอใบเสนอราคา
NXPS20H110C · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตWeEn Semiconductorsกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน175°C (Max) ขอใบเสนอราคา
1S2076S7A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRenesas Electronics America Incอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน175°Cแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If800 MV @ 10 MA ขอใบเสนอราคา