TRS12N65D · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 6A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 175°C (Max)
สินค้า
SDM03U40Q-7 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 NA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 370 MV @ 1 MA
V10150CHM3/4W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 5A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
S1DHE3_A/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
UFT14020A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microsemi Corporation
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 70A
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 975 MV @ 70 A
EGF1T-E3/5CA · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 1300 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 3 V @ 1 A
TRS20N65D · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Toshiba Semiconductor And Storage
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A (DC)
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 175°C (Max)
V2P6X-M3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 640 MV @ 2 A
MBRF2045CT-LJ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 10A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
S2JA-13-F · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.15 V @ 1.5 A
UGE10CCT-E3/45 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 5A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
FST80100A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microsemi Corporation
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 40A
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 820 MV @ 40 A
SS36HE3_B/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 750 MV @ 3 A
FST16230A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microsemi Corporation
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 80A
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 590 MV @ 80 A
NSR01F30NXT5G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 500 MV @ 100 MA
V15W60C-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 7.5A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
MSS1P6HM3_A/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 150 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 680 MV @ 1 A
MBRF3045CT-LJ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 15A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C