ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงUS1DHE3_A/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
VS-UFB200CB40P · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด142Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNRTS12100PFST3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr120 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If800 MV @ 12 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงUGE18CCT-E3/45 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด18Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
CMPD2003 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตCentral Semiconductor Corpกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 NA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 200 MA ขอใบเสนอราคา
B0540W · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตTaiwan Semiconductor Corporationกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr20 µA @ 40 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If510 MV @ 500 MA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-81CNQ040APBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด40Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงV6WL45C-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงRB068MM-60TFTR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตRohm Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1.5 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If765 MV @ 2 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-88CNQ060ASMPBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด40Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
STPST15H100SB-TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr28 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If740 MV @ 15 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-MBRB2080CTTRLP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSS1200-LTP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicro Commercial Coกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr50 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If920 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-6CWQ06FNTRLPBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3.5Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงCRS11(TE85L · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตToshiba Semiconductor And Storageกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr1.5 MA @ 30 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If360 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-85CNQ015ASMPBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด40Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 125°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSVT20120UB_R2_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตPanjit International Inc.กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr35 µA @ 120 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If790 MV @ 20 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-MBRB2045CTTRLP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด10Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา