BYV26D-TAP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 800 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If2.5 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
MD16180S-BM2MM · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตLittelfuse Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด180Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-ETU3006STRLHM3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr30 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If2 V @ 30 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-60CTQ035PBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด30Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน150°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงSS3P6HM3/84A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 60 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If780 MV @ 3 A ขอใบเสนอราคา
MD18180S-DKM2MM · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตLittelfuse Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด180Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
BY268TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr2 µA @ 1400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.25 V @ 400 MA ขอใบเสนอราคา
FST16030L · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด80Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงDTH3006PT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตDiodes Incorporatedกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If2.4 V @ 30 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-43CTQ080GSPBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด20Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน175°C (Max) ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงBYS10-45-E3/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr500 µA @ 45 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If500 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
MD18110A-BM2MM · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตLittelfuse Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด110Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
STPS5H100SF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตSTMicroelectronicsกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr8 µA @ 100 Vอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน175°C (Max) ขอใบเสนอราคา
NHP620MFDT3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด3Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-55°C ~ 175°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงUF4004 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1 V @ 1 A ขอใบเสนอราคา
MD18110A-DKM2MM · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตLittelfuse Inc.กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด110Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 150°C ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงISL9R1560P2-F085 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If2.2 V @ 15 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-40CTQ150-1PBF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionกระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด20Aอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน175°C (Max) ขอใบเสนอราคา