MBRT40030RL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 200A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
สินค้า
NTE5839 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NTE Electronics, Inc
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 3 A
BAW56T · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 75mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 125°C (Max)
NTST40120CTH · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 20A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -40°C ~ 150°C
1N5820-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 475 MV @ 3 A
MBRT120150R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 60A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
IDFW40E65D1EXKSA1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Infineon Technologies
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 40 µA @ 650 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 2.1 V @ 40 A
MBRT30045RL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
RGP30G-E3/54 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.3 V @ 3 A
SBRT30U45CTFP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 15A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
CMHSH5-4 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Central Semiconductor Corp
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 20 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 620 MV @ 1 A
RB160L-40TE25 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 550 MV @ 1 A
DCA010-TB-E · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150mA
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- 125°C (Max)
TPMR6G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.2 V @ 6 A
MBRT30035RL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 150A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
VS-1N1204A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1.5 MA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.35 V @ 12 A
MBR60040CTRL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 300A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C
SBRT30A45CTFP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Diodes Incorporated
- กระแสเรียงเฉลี่ย (Io) / ไดโอด
- 15A
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -55°C ~ 150°C