สินค้า
ES2G-E3/5BT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 2 A
BYV5ED-600PJ · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- WeEn Semiconductors
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.8 V @ 5 A
ISL55100AIRZ-T7A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Intersil
- จำนวนช่อง
- 4 ช่อง
- รูปแบบการติดตั้ง
- SMD/SMT
RS07G-GS18 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.15 V @ 700 MA
NJM311E-TE2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NJR
- กระแสไฟเลี้ยง
- 7.5 MA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 250 NA
SS215L · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 850 MV @ 2 A
SF32G-AP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 3 A
SE8D20JHM3/H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 2 A
BU7252SFVM-TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- ROHM Semiconductor
- กระแสไฟเลี้ยง
- 35 UA
- กระแสไบอัสอินพุต
- 1 PA
SS1P5L-M3/84A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 590 MV @ 1 A
SR210H · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Taiwan Semiconductor Corporation
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 850 MV @ 2 A
SBAS16XV2T5G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 150 MA