ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJANHCA1N6761 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr100 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If690 MV @ 1 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNJM2114M-TE2 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNJRกระแสไฟเลี้ยง16 MAกระแสไบอัสอินพุต1.8 UA ขอใบเสนอราคา
S150QR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 600 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.2 V @ 150 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNJM2164D · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNJRกระแสไฟเลี้ยง1.8 MAกระแสไบอัสอินพุต400 NA ขอใบเสนอราคา
150KR40A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr35 MA @ 400 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.33 V @ 150 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNJM2058M · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNJRกระแสไฟเลี้ยง11.3 MAกระแสไบอัสอินพุต500 NA ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N3670A · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 700 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.2 V @ 30 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNJM072BE · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตNJRกระแสไฟเลี้ยง5 MAกระแสไบอัสอินพุต200 PA ขอใบเสนอราคา
GKN130/18 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr22 MA @ 1800 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.5 V @ 60 A ขอใบเสนอราคา
1N4595R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตGeneSiC Semiconductorกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr4 MA @ 1200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.5 V @ 150 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N1614R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr50 µA @ 200 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.5 V @ 15 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N3671AR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 800 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.35 V @ 38 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNCS7301SN1T1G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemi ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงVS-150U100DL · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตVishay General Semiconductor - Diodes Divisionอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-40°C ~ 180°Cแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.47 V @ 600 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงNCS20061SQ3T2G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตOnsemiบรรจุภัณฑ์ม้วน ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริงJANS1N5802US · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyอุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน-65°C ~ 175°Cแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If975 MV @ 2.5 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N3673AR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr5 µA @ 1000 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.35 V @ 38 A ขอใบเสนอราคา
ภาพประกอบหมวดหมู่ที่สร้างด้วย AI ไม่ใช่ภาพถ่ายสินค้าจริง1N1200AR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ผู้ผลิตMicrochip Technologyกระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr10 µA @ 100 Vแรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If1.2 V @ 30 A ขอใบเสนอราคา