MBRH120100R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 4 MA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 840 MV @ 120 A
สินค้า
1N5816 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 20 A
UFR3120PF · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 15 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 30 A
JANTXV1N5712UR-1/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 150 NA @ 16 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 35 MA
JANTX1N1190 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.4 V @ 110 A
JANTX1N1615R · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 50 µA @ 400 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.5 V @ 15 A
1N5816E3 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 20 A
MBRH120200 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 MA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 920 MV @ 120 A
UES1106HR2/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 1 A
- เวลาฟื้นตัวย้อนกลับ (trr)
- 50 Ns
1N5820/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 500 MV @ 3 A
MCP6H74T-E/ST · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- การปิดการทำงาน
- ไม่มีฟังก์ชันปิดการทำงาน
- บรรจุภัณฑ์
- ม้วน
1N5814 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 100 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 950 MV @ 20 A
MBRH12080 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 4 MA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 840 MV @ 120 A
1N5820 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 500 MV @ 3 A
MBRH120150 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 MA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 880 MV @ 120 A
MBRH12045 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- GeneSiC Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 4 MA @ 20 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 650 MV @ 120 A
JANS1N5621/TR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Microchip Technology
- อุณหภูมิรอยต่อขณะทำงาน
- -65°C ~ 200°C
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.6 V @ 3 A
