S1FLJ-GS18 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
สินค้า
RBR2LB30ATBR1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 80 µA @ 30 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 490 MV @ 2 A
FS1KFL-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 2 A
MURS360BT3G · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Onsemi
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 3 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.25 V @ 3 A
LMP8640MKX-F/NOPB · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ตรวจวัดกระแส
- อัตราสลูว์
- 1.8 V/µs
FS1AFL-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 5 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 2 A
OPA2365AIDG4 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 25 V/µs
SS34HE3_B/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 500 µA @ 40 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 500 MV @ 3 A
RBR3L60ATE25 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Rohm Semiconductor
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 60 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 660 MV @ 3 A
TLC070IDR · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 19 V/µs
GS2KAFC_R1_00001 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Panjit International Inc.
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 800 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 2 A
TLE2081IP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- J-FET
- อัตราสลูว์
- 45 V/µs
US1DFL-TP · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Micro Commercial Co
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 200 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1 V @ 1 A
UF4005 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- NTE Electronics, Inc
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 10 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.7 V @ 1 A
S1J-M3/5AT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 600 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A
V10PM153-M3/I · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 100 µA @ 150 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 840 MV @ 10 A
TLV2463AQPWRG4Q1 · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Texas Instruments
- ประเภทแอมพลิฟายเออร์
- ใช้งานทั่วไป
- อัตราสลูว์
- 1.6 V/µs
S1A-M3/5AT · ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์
- ผู้ผลิต
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- กระแสรั่วย้อนกลับที่ Vr
- 1 µA @ 50 V
- แรงดันตกคร่อมตรงสูงสุด (Vf) ที่ If
- 1.1 V @ 1 A