NCP4300ADR2G · Электронные компонентыПроизводительOnsemiТок питания800 UAВходной ток смещения150 NA Запросить цену
ES3J · Электронные компонентыПроизводительTaiwan Semiconductor CorporationОбратный ток утечки при Vr10 µA @ 600 VРабочая температура перехода-55°C ~ 150°C Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.MBR3200_R2_00001 · Электронные компонентыПроизводительPanjit International Inc.Обратный ток утечки при Vr50 µA @ 200 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If900 MV @ 3 A Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.LF253DT · Электронные компонентыПроизводительSTMicroelectronicsТип усилителяJ-FETСкорость нарастания16 V/µs Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.GV804_R1_00001 · Электронные компонентыПроизводительPanjit International Inc.Обратный ток утечки при Vr5 µA @ 400 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If1.1 V @ 8 A Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.LM358LVIDGKR · Электронные компонентыПроизводительTexas InstrumentsТип усилителяОбщего назначенияСкорость нарастания1.5 V/µs Запросить цену
HS1JLH · Электронные компонентыПроизводительTaiwan Semiconductor CorporationОбратный ток утечки при Vr5 µA @ 600 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If1.7 V @ 1 A Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.SB3100L_AY_00001 · Электронные компонентыПроизводительPanjit International Inc.Обратный ток утечки при Vr50 µA @ 100 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If740 MV @ 3 A Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.AP4305UKTR-G1 · Электронные компонентыПроизводительDiodes IncorporatedТип усилителяИзмерение токаКоличество схем1 Запросить цену
HS1BLH · Электронные компонентыПроизводительTaiwan Semiconductor CorporationОбратный ток утечки при Vr5 µA @ 100 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If950 MV @ 1 A Запросить цену
1N5061TAP · Электронные компонентыПроизводительVishay General Semiconductor - Diodes DivisionОбратный ток утечки при Vr1 µA @ 600 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If1.15 V @ 2.5 A Запросить цену
AZ4580MTR-E1 · Электронные компонентыПроизводительDiodes IncorporatedТип усилителяОбщего назначенияСкорость нарастания7 V/µs Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.GL41YHE3_A/H · Электронные компонентыПроизводительVishay General Semiconductor - Diodes DivisionОбратный ток утечки при Vr10 µA @ 1600 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If1.2 V @ 1 A Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.LM2902DRE4 · Электронные компонентыПроизводительTexas InstrumentsТип усилителяОбщего назначенияСкорость нарастания0.5 V/µs Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.UF4002-M3/54 · Электронные компонентыПроизводительVishay General Semiconductor - Diodes DivisionОбратный ток утечки при Vr10 µA @ 100 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If1 V @ 1 A Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.MIC864YMX-T5 · Электронные компонентыПроизводительMicrochip TechnologyУпаковкаКатушка Запросить цену
Иллюстрация категории, созданная ИИ; не фотография товара.UG54G · Электронные компонентыПроизводительTaiwan Semiconductor CorporationОбратный ток утечки при Vr10 µA @ 200 VМаксимальное прямое напряжение (Vf) при If1.05 V @ 5 A Запросить цену
LM258ADRE4 · Электронные компонентыПроизводительTexas InstrumentsТип усилителяОбщего назначенияСкорость нарастания0.3 V/µs Запросить цену