BAT54CW_R1_00001 · Электронные компоненты
- Производитель
- Panjit International Inc.
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 200mA
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 125°C
Электронные компоненты
1N4148-T50R · Электронные компоненты
- Производитель
- Onsemi
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 75 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1 V @ 10 MA
BAS40-04-7-F · Электронные компоненты
- Производитель
- Diodes Incorporated
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 200mA (DC)
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 125°C
1N4148-T26A · Электронные компоненты
- Производитель
- Onsemi
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 75 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1 V @ 10 MA
BAT54SW_R1_00001 · Электронные компоненты
- Производитель
- Panjit International Inc.
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 200mA
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 125°C
LS410860 · Электронные компоненты
- Производитель
- Powerex Inc.
- Обратный ток утечки при Vr
- 40 MA @ 800 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.19 V @ 1800 A
TBAT54C · Электронные компоненты
- Производитель
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 140mA
- Рабочая температура перехода
- 150°C (Max)
VS-243NQ100PBF · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 6 MA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 950 MV @ 240 A
BAS40-04-TP · Электронные компоненты
- Производитель
- Micro Commercial Co
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 200mA (DC)
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 125°C
IDW40G65C5XKSA1 · Электронные компоненты
- Производитель
- Infineon Technologies
- Обратный ток утечки при Vr
- 220 µA @ 650 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.7 V @ 40 A
BAV199Q-7-F · Электронные компоненты
- Производитель
- Diodes Incorporated
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 140mA (DC)
- Рабочая температура перехода
- -65°C ~ 150°C
VS-HFA30PB120-N3 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 40 µA @ 1200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 4.1 V @ 30 A
1SS301 · Электронные компоненты
- Производитель
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 100mA
- Рабочая температура перехода
- 125°C (Max)
IDW20G65C5XKSA1 · Электронные компоненты
- Производитель
- Infineon Technologies
- Обратный ток утечки при Vr
- 210 µA @ 650 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.7 V @ 20 A
TBAT54S · Электронные компоненты
- Производитель
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 200mA
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
VS-80APS08-M3 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 100 µA @ 800 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.17 V @ 80 A
BAV99WQ-7-F · Электронные компоненты
- Производитель
- Diodes Incorporated
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 150mA
- Рабочая температура перехода
- -65°C ~ 150°C
TBAV70 · Электронные компоненты
- Производитель
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 215mA
- Конфигурация диодов
- 1 пара с общим катодом