VB30100S-E3/8W · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 MA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 910 MV @ 30 A
Электронные компоненты
BAT54-AQ · Электронные компоненты
- Производитель
- Diotec Semiconductor
- Обратный ток утечки при Vr
- 2 µA @ 25 V
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
1SS355-TP · Электронные компоненты
- Производитель
- Micro Commercial Co
- Обратный ток утечки при Vr
- 100 NA @ 80 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.2 V @ 100 MA
MBR400100CT · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 200A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
JANTX1N4148-1 · Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Обратный ток утечки при Vr
- 500 NA @ 75 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.2 V @ 100 MA
· Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Обратный ток утечки при Vr
- 2 µA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 975 MV @ 2 A
MSCDC600A170AG · Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 600A
- Рабочая температура перехода
- -40°C ~ 175°C
FDH444TR · Электронные компоненты
- Производитель
- Onsemi
- Обратный ток утечки при Vr
- 50 NA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.2 V @ 300 MA
STTH2002G-TR · Электронные компоненты
- Производитель
- STMicroelectronics
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.1 V @ 20 A
409DMQ150 · Электронные компоненты
- Производитель
- SMC Diode Solutions
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.03 V @ 200 A
BAV21WS · Электронные компоненты
- Производитель
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Обратный ток утечки при Vr
- 100 NA @ 200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.25 V @ 200 MA
MBR400100CTR · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 200A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
1S2076JRE · Электронные компоненты
- Производитель
- Renesas Electronics America Inc
- Корпус
- Россыпью
FERD30SM100DJFTR · Электронные компоненты
- Производитель
- STMicroelectronics
- Обратный ток утечки при Vr
- 150 µA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 970 MV @ 30 A
M5060CC1200 · Электронные компоненты
- Производитель
- Sensata-Crydom
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 60A (DC)
- Рабочая температура перехода
- -40°C ~ 125°C
1S2075K-J · Электронные компоненты
- Производитель
- Renesas Electronics America Inc
- Рабочая температура перехода
- 175°C
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 800 MV @ 10 MA