SMD34HE1-TP · Электронные компоненты
- Производитель
- Micro Commercial Co
- Обратный ток утечки при Vr
- 50 µA @ 40 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 520 MV @ 3 A
Электронные компоненты
BAW101S · Электронные компоненты
- Производитель
- Nexperia USA Inc.
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 250mA (DC)
- Рабочая температура перехода
- 150°C (Max)
SCS320AHGC9 · Электронные компоненты
- Производитель
- Rohm Semiconductor
- Обратный ток утечки при Vr
- 100 µA @ 650 V
- Рабочая температура перехода
- 175°C (Max)
1S953-T1-AZ · Электронные компоненты
- Производитель
- Renesas Electronics America Inc
- Корпус
- Россыпью
ES1E_R1_00001 · Электронные компоненты
- Производитель
- Panjit International Inc.
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 300 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.25 V @ 1 A
VS-HFA16PB120-N3 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 20 µA @ 1200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 3 V @ 16 A
BAV23AQ-7-F · Электронные компоненты
- Производитель
- Diodes Incorporated
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 400mA (DC)
- Рабочая температура перехода
- -65°C ~ 150°C
STPSC10H12D · Электронные компоненты
- Производитель
- STMicroelectronics
- Обратный ток утечки при Vr
- 60 µA @ 1200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.5 V @ 10 A
BAW56M3T5G · Электронные компоненты
- Производитель
- Onsemi
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 200mA (DC)
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
RBE1VAM20ATR · Электронные компоненты
- Производитель
- Rohm Semiconductor
- Обратный ток утечки при Vr
- 200 µA @ 20 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 530 MV @ 1 A
MMBD3004SE · Электронные компоненты
- Производитель
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 225mA
- Рабочая температура перехода
- -65°C ~ 150°C
SS24SHE3_B/I · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 200 µA @ 40 V
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
1S953-T2 · Электронные компоненты
- Производитель
- Renesas Electronics America Inc
- Корпус
- Россыпью
APT100S20BG · Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Обратный ток утечки при Vr
- 2 MA @ 200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 950 MV @ 100 A
BAS70TWQ-7-F · Электронные компоненты
- Производитель
- Diodes Incorporated
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 70mA (DC)
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 125°C
1SS55-T4-AZ · Электронные компоненты
- Производитель
- Renesas Electronics America Inc
- Обратный ток утечки при Vr
- 100 NA @ 75 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 700 MV @ 1 MA
1SS226 · Электронные компоненты
- Производитель
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 100mA
- Рабочая температура перехода
- 125°C (Max)