B170Q-13-F · Электронные компоненты
- Производитель
- Diodes Incorporated
- Рабочая температура перехода
- -65°C ~ 155°C
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 790 MV @ 1 A
Электронные компоненты
JANTX1N5711UBCA/TR · Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 33mA
- Рабочая температура перехода
- -65°C ~ 150°C
MBRT20045R · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 100A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
HS1DFS · Электронные компоненты
- Производитель
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1 V @ 1 A
MBRT12040R · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 60A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
SR804H · Электронные компоненты
- Производитель
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Обратный ток утечки при Vr
- 500 µA @ 40 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 550 MV @ 8 A
MSRTA300120AD · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 300A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
HS1GFS · Электронные компоненты
- Производитель
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 400 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.3 V @ 1 A
MBRT20020R · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 100A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
MURS340-M3/57T · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 400 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.28 V @ 3 A
MURT20010R · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 100A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
RB511SM-40T2R · Электронные компоненты
- Производитель
- Rohm Semiconductor
- Обратный ток утечки при Vr
- 25 µA @ 40 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 410 MV @ 10 MA
BY520-14E-E3/54 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Рабочая температура перехода
- -65°C ~ 175°C
- Технология
- Стандартный
MBRT12030R · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 60A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
FES1GE · Электронные компоненты
- Производитель
- Diodes Incorporated
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 400 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.25 V @ 1 A
MBRT200200R · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 100A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
MBR735 · Электронные компоненты
- Производитель
- SMC Diode Solutions
- Обратный ток утечки при Vr
- 100 µA @ 35 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 840 MV @ 15 A
MBR40080CT · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 200A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C