1N4934-E3/73 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.2 V @ 1 A
Электронные компоненты
MBRF50040R · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 250A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
1N5811URS/TR · Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 150 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 875 MV @ 4 A
MBRTA60060 · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 300A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
1N5402-E3/73 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.2 V @ 3 A
MBRTA60030R · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 300A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
BYG20JHE3_A/H · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 600 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.4 V @ 1.5 A
MBRF40060R · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 200A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
SB007-03Q-TL-E · Электронные компоненты
- Производитель
- Onsemi
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 15 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 550 MV @ 70 MA
UFT7340M · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 70A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
1N5806URS/TR · Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 150 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 875 MV @ 1 A
MBRF400150R · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 200A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
S2JHE3_A/H · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 600 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.15 V @ 1.5 A
MBRTA60045 · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 300A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
S1PG-M3/84A · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 1 µA @ 400 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.1 V @ 1 A
MBRTA80060R · Электронные компоненты
- Производитель
- GeneSiC Semiconductor
- Средний выпрямленный ток (Io) / диод
- 400A
- Рабочая температура перехода
- -55°C ~ 150°C
1N6701US/TR · Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Обратный ток утечки при Vr
- 200 µA @ 30 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 470 MV @ 5 A
ES2D-13-F · Электронные компоненты
- Производитель
- Diodes Incorporated
- Обратный ток утечки при Vr
- 5 µA @ 200 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 920 MV @ 2 A