VS-12TQ040STRRHM3 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 1.75 MA @ 40 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 560 MV @ 15 A
Электронные компоненты
TS952IDT · Электронные компоненты
- Производитель
- STMicroelectronics
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 1 V/µs
VS-18TQ035HN3 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 2.5 MA @ 35 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 600 MV @ 18 A
TSN525M60 · Электронные компоненты
- Производитель
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Обратный ток утечки при Vr
- 500 µA @ 60 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 630 MV @ 25 A
TLV274IDR · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 2.6 V/µs
VS-18TQ040SHM3 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 2.5 MA @ 40 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 600 MV @ 18 A
TS942AIDT · Электронные компоненты
- Производитель
- STMicroelectronics
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 0.0045 V/µs
VS-MBRB1045TRRHM3 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 100 µA @ 45 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 840 MV @ 20 A
· Электронные компоненты
- Производитель
- Microchip Technology
- Обратный ток утечки при Vr
- 100 µA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 810 MV @ 3 A
DLA10IM800UC-TRL · Электронные компоненты
- Производитель
- IXYS
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 800 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.1 V @ 10 A
LPV324MTX/NOPB · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 0.1 V/µs
RURP15100-F085P · Электронные компоненты
- Производитель
- Onsemi
- Обратный ток утечки при Vr
- 100 µA @ 1000 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.8 V @ 15 A
FESB16BT-E3/81 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 100 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 975 MV @ 16 A
MC1458P · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 0.5 V/µs
FESB16AT-E3/81 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 10 µA @ 50 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 975 MV @ 16 A
VS-ETL1506SHM3 · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 15 µA @ 600 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 1.07 V @ 15 A
TLV27L1IDBVR · Электронные компоненты
- Производитель
- Texas Instruments
- Тип усилителя
- Общего назначения
- Скорость нарастания
- 0.06 V/µs
VBT4045BP-M3/4W · Электронные компоненты
- Производитель
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Обратный ток утечки при Vr
- 3 MA @ 45 V
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If
- 670 MV @ 40 A