Продукция
· Micron / ISSI / Samsung · Интегральные схемы
· Micron / ISSI / Samsung · Интегральные схемы
Информация о продукте
- Тип:
- IC
- Рабочая температура:
- -40°C ~ 85°C (TA)
Запросить цену
Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.
Запросить ценуТехнические характеристики
Одна модель · единые параметры
Идентификация компонента
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Артикул | MT47H256M8EB-25E:C |
| Описание | IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA |
Электрические характеристики
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | IC |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Напряжение питания | 2.7V ~ 3.6V |
Корпус и механика
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Подходящие параметры не найдены
Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.
Исходные поля · английский · 2
Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.
| Current - Output High, Low | 6mA, 6mA |
|---|---|
| Cetificate | ISO9001, ISO14001, Rohs |
Описание
Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.
Запросить цену
Выбранные компоненты
Вся продукция
MT41K256M16TW-107 · Micron / ISSI / Samsung · Интегральные схемы
- Разрешение АЦП
- 10 Bit
- Максимальная тактовая частота
- 16 MHz
MT29F2G08ABAEAH4 · Micron / ISSI / Samsung · Интегральные схемы
- Разрешение АЦП
- 10 Bit
- Максимальная тактовая частота
- 16 MHz
