Продукция

Главная > Продукция > · Micron / ISSI / Samsung · Интегральные схемы

· Micron / ISSI / Samsung · Интегральные схемы

Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.

Одна модель · единые параметры

Параметр	Значение
Артикул	GL868-DUAL/BGS2-E

Параметр	Значение
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C (TA)
Тип	IC
Объём флеш-памяти	72MHz
Периферийные устройства	32-Bit
Количество линий ввода-вывода	CANbus, IC, IrDA, LINbus, SPI, UART/USART, USB
EEPROM · Объём памяти	128 X 8
Напряжение питания (Vcc/Vdd)	FLASH
Преобразователи данных	128 X 8
Тип генератора	2V ~ 3.6V
Перекрёстная ссылка	BTS716

Параметр	Значение
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Количество ядер / разрядность шины	Поверхностный монтаж

Параметр	Значение
Разрядность ядра	8-Bit
Тип программной памяти	37

Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.

Исходные поля · английский · 6

Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.

Description	GSM GPRS Module GL868 GL868-DUAL/BGS2-E
Core Processor	ARM-M3
Connector Type	20K X 8
Size / Dimension	1.75KB (1K X 14)
Program Memory Size	DMA, Motor Control PWM, PDR, POR, PVD, PWM
Controller Series	A/D 10x12b