Продукция

Главная > Продукция > · Micron / ISSI / Samsung · Интегральные схемы

· Micron / ISSI / Samsung · Интегральные схемы

Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.

Одна модель · единые параметры

Параметр	Значение
Артикул	Mlx90614ESF-BAA I
Описание	XR2206

Параметр	Значение
Выходной ток на канал	12C
Тип полевого транзистора	.
Максимальный выходной ток	.
Ток питания	.
Напряжение питания	.
Максимальная частота	.
Максимальная мощность	.
Допуск	.
Функция	.
Внутреннее напряжение питания	.
Частота среза или центральная частота	.
Изолированное питание	.
Напряжение изоляции	.
Пиковый выходной ток	.
Тип входа	.
Тип выхода	.
Максимальное выходное напряжение	.
Импеданс	.
Частота гетеродина	.
Радиочастота	.
Входной диапазон	.
Выходная мощность	20dBm
Модуляция	.
GPIO	8
Используемая микросхема / компонент	.
Сопротивление (Ом)	.
Бренд	KUONGSHUN

Параметр	Значение
Модуляция или протокол	.
Объём памяти	.
Последовательные интерфейсы	SPI, UART
Тип памяти	.

Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.

Исходные поля · английский · 22

Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.

Type	Drive IC
Current - Leakage (IS(off)) (Max)	.
Current - Output High, Low	.
Voltage - Forward (Vf) (Typ)	.
Current - DC Forward (If) (Max)	.
Current Transfer Ratio (Min)	.
Current Transfer Ratio (Max)	.
Voltage - Off State	.
Static DV/dt (Min)	.
Current - LED Trigger (Ift) (Max)	.
Current - On State (It (RMS)) (Max)	.
Impedance - Unbalanced/Balanced	.
Output Power	.
Frequency Bands (Low / High)	.
Specifications	.
Size / Dimension	8X5X3 Cm 0.030 Kg
Protocol	802.11b/g/n
Standards	.
Style	.
Writable Memory	.
Product Name	Mlx90614ESF-BAA
Item	Temperature Sensor Development Tools