HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

Продукция

EM78P447NASJ

EM78P447NASJ · Micron / ISSI / Samsung · Интегральные схемы

Информация о продукте

Артикул:
EM78P447NASJ
Напряжение пробоя:
V
Частота переключения:
Hz

Запросить цену

Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.

Запросить цену

Технические характеристики

Одна модель · единые параметры

Идентификация компонента

ПараметрЗначение
АртикулEM78P447NASJ

Электрические характеристики

ПараметрЗначение
Напряжение пробояV
Частота переключенияHz
Мощность (Вт)W
Рабочая температураC
Минимальное напряжение питанияV
Максимальное напряжение питанияV
Выходное напряжениеV
Выходной ток на каналA
ЧастотаHZ
ПрименениеИнтегральная схема
Выходная мощность20.5dBm, 20.5dBm
МодуляцияCCK, DSSS, OFDM

Память и интерфейсы

ПараметрЗначение
Последовательные интерфейсыGPIO, IC, IS, PWM, SDIO, SPI, UART

Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.

Исходные поля · английский · 6

Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.

TypeIntegrated Circuit, Drive IC
DescriptionMCU Ic Chip
Memory Size448kB ROM, 536kB SRAM
Protocol802.11b/g/n
Utilized IC / PartESP32-D0WD, ESP32-D0WD
NameEM78P447NASJic Em78p447namj

Описание

Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.

Запросить цену

Контактные данные используются для ответа на ваш запрос. Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.

Выбранные компоненты

Вся продукция
EM78P447NASJ

EM78P447NASJ

LIANYIXIN RFQ

Расскажите, что вам нужно.

Укажите артикул, количество и требования для LIANYIXIN.

Контактные данные используются для ответа на ваш запрос. Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.

Чат с LIANYIXIN

Задайте вопрос о компоненте или оставьте запрос. Укажите email, чтобы мы могли ответить, если вы покинете страницу.

Чем мы можем помочь с подбором компонентов?