HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

Продукция

RJP63K2

RJP63K2 · ROHM / UTC · Интегральные схемы

Информация о продукте

Артикул:
RJP63K2
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Бренд:
MOS

Запросить цену

Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.

Запросить цену

Технические характеристики

Одна модель · единые параметры

Идентификация компонента

ПараметрЗначение
СерияSCR 500V 12A TO220AB BT151-500R BT151

Электрические характеристики

ПараметрЗначение
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
БрендMOS

Корпус и механика

ПараметрЗначение
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусПоверхностный монтаж

Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.

Исходные поля · английский · 4

Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.

TypeMOSFET, IGBT Transistor
ConfigurationSingle
Transistor TypeMrf150 Rf Power Transistor
PackingReel Box Carton

Описание

Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.

Запросить цену

Контактные данные используются для ответа на ваш запрос. Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.

Выбранные компоненты

Вся продукция
RJP63K2

RJP63K2

LIANYIXIN RFQ

Расскажите, что вам нужно.

Укажите артикул, количество и требования для LIANYIXIN.

Контактные данные используются для ответа на ваш запрос. Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.

Чат с LIANYIXIN

Задайте вопрос о компоненте или оставьте запрос. Укажите email, чтобы мы могли ответить, если вы покинете страницу.

Чем мы можем помочь с подбором компонентов?