Продукция

1N4448

Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.

Одна модель · единые параметры

Параметр	Значение
Описание	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Параметр	Значение
Тип	IC CHIP
Средний выпрямленный ток (Io)	200mA
Максимальное прямое напряжение (Vf) при If	1V @ 100mA
Обратный ток утечки при Vr	5uA @ 75V
Максимальное обратное напряжение (Vr)	8327382
Быстродействие	Малосигнальный =< 200mA (Io), любое быстродействие
Время обратного восстановления (trr)	4ns
Ёмкость при Vr, F	2pF @ 0V, 1MHz
Диапазон рабочих температур	- 55 C – + 150 C

Параметр	Значение
Тип монтажа	153821123
Корпус	Поверхностный монтаж

Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.

Исходные поля · английский · 6

Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.

Application	Diodes -General Purpose, Power, Switching
Package / Case	DO-204AH, DO-35, Axial
Product	Switching Diodes
Recovery Time	4 Ns
Forward Voltage Drop	1.2 V
Maximum Power Dissipation	350 MW