HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
info@lianyixinic.com+86 158 1854 8834

Продукция

IRF1405pbf

IRF1405pbf · ROHM / UTC · Интегральные схемы

Информация о продукте

Артикул:
IRF1405pbf
Рабочая температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Перекрёстная ссылка:
NEW

Запросить цену

Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.

Запросить цену

Технические характеристики

Одна модель · единые параметры

Электрические характеристики

ПараметрЗначение
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Перекрёстная ссылкаNEW
Тип полевого транзистораP-канал

Корпус и механика

ПараметрЗначение
Тип монтажаВыводной монтаж
Корпус–-220-3

Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.

Исходные поля · английский · 13

Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.

TypeIC CHIP, Field-Effect Transistor, IGBT Transistor
Package TypeThrought Hole
ApplicationIrf Transistor
BrandMOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB
Drain To Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250uA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200pF @ 25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs (Max)±20V
Transistor TypeMrf150 Rf Power Transistor

Описание

Локализованное описание пока недоступно. Ниже приведены параметры этой модели.

Запросить цену

Контактные данные используются для ответа на ваш запрос. Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.

Выбранные компоненты

Вся продукция
IRF1405pbf

IRF1405pbf

LIANYIXIN RFQ

Расскажите, что вам нужно.

Укажите артикул, количество и требования для LIANYIXIN.

Контактные данные используются для ответа на ваш запрос. Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.

Чат с LIANYIXIN

Задайте вопрос о компоненте или оставьте запрос. Укажите email, чтобы мы могли ответить, если вы покинете страницу.

Чем мы можем помочь с подбором компонентов?