Продукция

IRFB4227PBF

Цена, наличие и сроки поставки подтверждаются в предложении.

Одна модель · единые параметры

Параметр	Значение
Описание	Транзисторы
Артикул	IRFB4227PBF

Параметр	Значение
Рабочая температура	-, -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора	-, N-канал

Параметр	Значение
Тип монтажа	-, Поверхностный монтаж, Выводной монтаж
Корпус	-, –-252-3
Обозначение корпуса производителя	–-220AB

Параметры относятся к указанной модели. Сверьте корпус и условия измерения с документацией производителя.

Исходные поля · английский · 12

Часть исходных полей ожидает перевода и приведена отдельно на английском.

Type	Pentode Transistor, Ic Chips
Package Type	Throught Hole
Application	Electronic
Drain To Source Voltage (Vdss)	-, 700V, 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	-, 8.5A (Tc), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-, 600mOhm @ 1.8A, 10V, 24 MOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	-, 5V @ 250uA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-, 10.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	-, 364pF @ 400V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Transistor Type	Mrf150 Rf Power Transistor
Technology	MOSFET (Metal Oxide)